威尼斯144777欢迎你·正版App Store

中文 | EN
碳化硅晶片
 
4H-N型SiC衬底
碳化硅（SiC）晶体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优越性能，被认为是制备高频大功率器件、高温电子器件、微波器件最有应用前途的材料，被广泛应用于新能源汽车电机驱动、充电桩、光伏逆变器等领域。

Copyright © 2000-2019合盛新材料-威尼斯144777欢迎你·正版App Store 浙ICP备20005291号——1

XML 地图