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近日，三菱电机宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，安世半导体将使用该芯片来开发SiC分立器件。

合作方面，前不久，Coherent、电装和三菱电机已达成协议，将向Coherent的SiC业务投资，投资金额总计10亿美元（各5亿美元）。

这笔投资将使电装和三菱各换取12.5%的非控股股权，Coherent将持有剩余75%的股权。交易完成之前，Coherent将把SiC业务分离出来，并将其投入一家子公司，子公司将继续由Coherent的新风险投资与宽带隙电子技术执行副总裁Sohail Khan领导。

该SiC子公司将与电装和三菱电机达成长期供应协议，以满足电装和三菱对150 mm和200 mm的SiC衬底和外延片的需求。

近年来，Coherent投资扩大了150 mm和200 mm衬底的生产规模，以应对这一市场。此次对SiC业务进行10亿美元的合并投资，将为扩产该业务的衬底和外延片提供资金，另一方面，结合同时签订的供应协议，还可增强SiC业务在市场中的地位。预计2024年第一季度完成此次交易。

而今年5月，三菱电机就与Coherent签署了一份谅解备忘录（MOU），双方合作开展一项计划，在200mm技术平台上大规模制造SiC电力电子器件。

根据公告，为了满足快速增长的需求，三菱电机宣布在截至2026年3月的五年内投资约2600亿日元。投资的主要部分（约1000亿日元）将用于建设一个基于200mm技术平台的SiC功率器件的新工厂，并加强相关生产设施。根据谅解备忘录，Coherent公司将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发供应200mm n型4H SiC衬底片。

据悉，三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。根据此前3月消息，三菱电机投资约1000亿日元，将用于建设新的8英寸 SiC 晶圆厂并加强相关生产设施。新工厂落址日本熊本县，将生产大直径 8 英寸 SiC 晶圆，引入具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的洁净室。据悉，新厂房将于2026年4月投产。

此外，三菱电机还将加强其位于该县合志市工厂的6英寸SiC晶圆的生产设施，扩增产能以满足该领域不断增长的需求。

据了解，三菱电机上述位于熊本县的两座工厂均专注于前端制程。此外，三菱电机将新投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的封装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体，将大大提升公司的开发能力，便于及时量产以应对市场需求。而剩余的200亿日元全部为新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。

多年来，三菱电机一直引领高速列车、高压工业应用和家用电器的SiC 功率模块市场。三菱电机于 2010 年推出全球首款空调用 SiC 功率模块，创造了历史，并于 2015 年成为新干线高速列车首家全 SiC 功率模块供应商。

此外，三菱电机提出了到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34％的目标。营业利润率的目标是达到10％。现在占主流的硅功率半导体也在增强生产，2022年4月在广岛县福山市的新工厂开始量产。计划2024年度开始使用300毫米晶圆进行量产。

安世半导体方面，10月，安世半导体正式宣布与KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH （京瓷安施）建立了密切的合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW 至11 kW 功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、 EV 充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。