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·瞻芯电子3款第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。

这3款产品导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C ～175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。

瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的， 自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来，至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品，对比上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件的比导通电阻降低约25%，能进一步降低器件损耗，提升系统效率。

瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品，因其具备高速开关，且低损耗，以及良好的驱动兼容性等优秀特性，而能为功率变换系统提供高频、高效率的解决方案，主要适用于电机驱动、光伏逆变器、车载直流变换器（DC/DC）、车载充电机（OBC）、开关电源。

·蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了  HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在在更为极端的应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。产品特点如下：

◎采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；

◎采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；

◎采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；

◎ VDD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；

◎在下图中，A为外商产品，B为国内厂商产品；所对比产品规格接近，封装形式皆为TO-247-3L，驱动电压采用各厂商推荐值，测试结果采用标准化处理且蓉矽产品为“1”。从对比结果可以看出，得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化，蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。

蓉矽SiC MOSFET应用于新能源汽车OBC和直流充电桩模块时，可有效减少器件数量、简化系统、降低损耗、提高效率，推动提高充电速度、实现续航突破。